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清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷阱”，也會引入外延缺陷；后再去除顆粒、金屬等沾污，同時使硅片表面鈍化。
浙公網安備 33010602000811號
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